登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

AON2406备选型号: SSM6J501NU,LF

隐藏公共属性
型号:
品牌:
描述:
工厂交货时间
底架
安装类型
包装/外壳
操作温度
包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
系列
ECCN 代码
Reach合规守则
功率耗散
栅极至源极电压(Vgs)
漏源击穿电压

AON2406

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN

18 Weeks
表面贴装
表面贴装
6-UDFN Exposed Pad
8A Ta
-55°C~150°C TJ
Digi-Reel®
2011
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
12.5m Ω @ 8A, 4.5V
1V @ 250μA
1140pF @ 10V
18nC @ 4.5V
20V
±8V
8A
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
-
SSM6J501NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
6-WDFN Exposed Pad
10A Ta
150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2004
活跃
1 (Unlimited)
P-Channel
15.3m Ω @ 4A, 4.5V
1V @ 1mA
2600pF @ 10V
29.9nC @ 4.5V
20V
±8V
10A
符合RoHS标准
U-MOSVI
EAR99
unknown
1W
8V
-20V
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	SSM6J501NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	6-WDFN Exposed Pad	MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B	对比
	DMP2018LFK-7	Diodes Incorporated	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	6-PowerUDFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	对比
	DMN2020UFCL-7	Diodes Incorporated	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	6-PowerUFDFN	MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN	对比