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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.150546
10
¥4.859005
100
¥4.583965
500
¥4.324494
1000
¥4.079711
Diodes Incorporated DMP2018LFK-7
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- 对比
DMP2018LFK-7
671-DMP2018LFK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-PowerUDFN
大陆
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MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2018LFK-7详情
Diodes Incorporated DMP2018LFK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-PowerUDFN
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
240.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-N4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
22.8 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 200μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4748pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
113nC @ 10V
上升时间
29.8ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
100.6 ns
连续放电电流(ID)
9.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
90A
高度
580μm
长度
2.55mm
宽度
2.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP2018LFK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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