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AON6280备选型号: NVMFS5C646NLT1G
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- Reach合规守则
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads8SILICON17A Ta 85A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)5EAR99DUAL未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET83WDRAINN-ChannelSWITCHING4.1m Ω @ 20A, 10V3.2V @ 250μA3930pF @ 40V82nC @ 10V80V±20V85A20V230AROHS3 Compliant-----------
MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-20A Ta 93A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014Discontinued1 (Unlimited)-EAR99----Single---N-Channel-4.7m Ω @ 50A, 10V2V @ 250μA2164pF @ 25V33.7nC @ 10V-±20V93A20V-ROHS3 CompliantACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)e3yesTin (Sn)not_compliant110.4 ns14.9ns5.1 ns60V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL | 对比 |
| NTMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
| NVMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH | 对比 |
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