ON Semiconductor NVMFS5C646NLT1G
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NVMFS5C646NLT1G
1807-NVMFS5C646NLT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
--最小包装量--
NVMFS5C646NLT1G详情
ON Semiconductor NVMFS5C646NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
38 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Ta 93A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.7W Ta 79W Tc
Turn Off Delay Time
23.6 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
通道数量
1
接通延迟时间
10.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2164pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.7nC @ 10V
上升时间
14.9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.1 ns
连续放电电流(ID)
93A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFS5C646NLT1G拓展信息
ON Semiconductor
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