AON6290备选型号: DMN2300UFB4-7B
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N CH 100V 28A DFN5X618 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads828A Ta 85A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)未说明未说明Single208WN-Channel4.6m Ω @ 20A, 10V3.4V @ 250μA4600pF @ 50V90nC @ 10V100V±20V85A20VROHS3 Compliant无铅--------------------------
- MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN16 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN31.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)26040-500mWN-Channel175m Ω @ 300mA, 4.5V950mV @ 250μA64.3pF @ 25V1.6nC @ 4.5V-±8V1.3A8VROHS3 Compliant无铅SILICONe4yes3EAR99175mOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLDBOTTOM31Single增强型MOSFETDRAIN3.5 nsSWITCHING2.8ns13 ns950mV20V150°C400μm1.05mm650μm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS6B14NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B14NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 100 V, 0.0122 ohm, 10 V, 4 V | 对比 | |
![]() | DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | 对比 |
| NVMFS6B14NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 11A DFN5 | 对比 |



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