AON6294备选型号: DMN2014LHAB-7
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat LeadsSILICON17A Ta 52A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)AlphaMOS2011活跃1 (Unlimited)5EAR99DUAL未说明未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 20A, 10V3.5V @ 250μA2265pF @ 50V40nC @ 10V100V±20V52A0.014Ohm80A100V54 mJROHS3 Compliant------------
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN14 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad-9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2015活跃1 (Unlimited)-EAR99-26030----2 N-Channel (Dual) Common Drain-13m Ω @ 4A, 4.5V1.1V @ 250μA1550pF @ 10V16nC @ 4.5V20V-9.3A----ROHS3 Compliant7e4Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)800mW6.9 ns15.5ns12 ns12V逻辑电平门600μm3.05mm2.05mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | 对比 |
| NVMFS6B14NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DFN | MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL | 对比 | |
| NVMFS6B14NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 11A DFN5 | 对比 |



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