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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.097627
10
¥4.809079
100
¥4.536868
500
¥4.280064
1000
¥4.037802
Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7
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- 对比
DMN2014LHAB-7
671-DMN2014LHAB-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UFDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2014LHAB-7详情
Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UFDFN Exposed Pad
引脚数
7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A
Turn Off Delay Time
40.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
800mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
接通延迟时间
6.9 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
上升时间
15.5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
9.3A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
600μm
长度
3.05mm
宽度
2.05mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2014LHAB-7拓展信息
Diodes Incorporated
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