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AON6413备选型号: IPD40N03S4L08ATMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads8-DFN (5x6)22A Ta 32A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CP-Channel8.5mOhm @ 16A, 10V2.7V @ 250μA2142pF @ 15V58nC @ 10V30V±25V32A2.142nF8.5 mΩ符合RoHS标准--------------------------
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-25212 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)--N-Channel8.3m Ω @ 40A, 10V2.2V @ 13μA1520pF @ 15V20nC @ 10V-±16V40A--ROHS3 Compliant3SILICONAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™e32EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN3 ns无卤素1ns5 ns16V30V160A2.41mm6.73mm6.22mm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD40N03S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
 | IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 | 对比 |
 | TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V | 对比 |
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