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AON6413备选型号: TPH6R003NL,LQ
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
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- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSMD, Flat Leads8-DFN (5x6)22A Ta 32A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CP-Channel8.5mOhm @ 16A, 10V2.7V @ 250μA2142pF @ 15V58nC @ 10V30V±25V32A2.142nF8.5 mΩ符合RoHS标准-----------
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-SOP Advance (5x5)38A Tc150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel6mOhm @ 19A, 10V2.3V @ 200μA1400pF @ 15V17nC @ 10V30V±20V38A1.4nF6 mΩ符合RoHS标准8850.995985mgU-MOSVIII-H111 ns4.1ns3.3 ns20V30V6.8mOhm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD40N03S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
 | IRFH7921TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 | 对比 |
| TPH6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V | 对比 |
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