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AON6978备选型号: DMN32D2LFB4-7
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN820A 28A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SRFET™2011Obsolete1 (Unlimited)4.3W增强型MOSFET3.6W 4.3W2 N-Channel (Half Bridge)5.7m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1010pF @ 15V25nC @ 10V30V28A36AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准---------------------------
MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN15 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3300mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2017活跃1 (Unlimited)-增强型MOSFET-N-Channel1.2 Ω @ 100mA, 4V1.2V @ 250μA39pF @ 3V--300mA---ROHS3 CompliantGoldSILICONe4yes3EAR991.2OhmHIGH RELIABILITYBOTTOM2604031Single350mWDRAIN11 nsSWITCHING±10V10V30V350μm1mm600μm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN32D2LFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN | 对比 |
| DMP31D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN | 对比 |
 | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | 对比 |
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