Diodes Incorporated DMN32D2LFB4-7

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Ta

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.2Ohm

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

39pF @ 3V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

300mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

30V

高度

350μm

长度

1mm

宽度

600μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅