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首页 全部分类 AON6994 vs BSC0924NDIATMA1

AON6994备选型号: BSC0924NDIATMA1

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  • 场效应管类型
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON6994
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    19A 26A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3.1W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5.2m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    820pF @ 15V
    13nC @ 10V
    30V
    26A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC0924NDIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A 32A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    1W
    未说明
    未说明
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    30V
    32A
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    OptiMOS™
    e3
    6
    EAR99
    无铅
    not_compliant
    R-PDSO-N6
    SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    排水源头
    20V
    1.3A
    0.007Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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