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AON6994备选型号: RQ3E180AJTB
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN819A 26A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014yes活跃1 (Unlimited)3.1W未说明未说明2 N-Channel (Dual) Asymmetrical5.2m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA820pF @ 15V13nC @ 10V30V26A逻辑电平门ROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR810 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN818A Ta 30A Tc150°C TJCut Tape (CT)2015-活跃1 (Unlimited)-未说明未说明N-Channel4.5m Ω @ 18A, 4.5V1.5V @ 11mA4290pF @ 15V39nC @ 4.5V30V30A-ROHS3 CompliantSILICON5EAR99DUALFLATnot_compliantR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING±12V72A30V24.6 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 | 对比 |
 | FDMS8672AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 18A POWER56 | 对比 |
 | BSC0923NDIATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R | 对比 |
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