我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
AON7460备选型号: DMN2016LFG-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 300V 1.2A 8DFN18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFNSILICON1.2A Ta 4A Tc4.5V @ 250μA-50°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)5DUALFLATS-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING830m Ω @ 1.2A, 10V380pF @ 25V8.2nC @ 10V300V±30V4A4A0.83Ohm13A300V132 mJROHS3 Compliant------------------------
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerUDFNSILICON2--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)5--S-PDSO-N5-增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING18m Ω @ 6A, 4.5V1472pF @ 10V16nC @ 4.5V20V-5.2A-----ROHS3 Compliant8e4yesEAR9918mOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY770mW26040DMN2016LAEC-Q1012Dual2.6 ns1.1V @ 250μA13.2ns46.8 ns8VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2400UFD-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UDFN | MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3 | 对比 |
 | DMN3900UFA-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900 | 对比 |
 | NTLGF3501NT2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN | 对比 |
哦! 它是空的。