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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.769846
10
¥1.669667
100
¥1.575161
500
¥1.485996
1000
¥1.401883
Diodes Incorporated DMN3900UFA-7B
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- 对比
DMN3900UFA-7B
671-DMN3900UFA-7B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3900UFA-7B详情
Diodes Incorporated DMN3900UFA-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
550mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
390mW Ta
Turn Off Delay Time
80.6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
已出版
2013
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
760m Ω @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
42.2pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
上升时间
7.8ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
23.4 ns
连续放电电流(ID)
650mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.65A
漏源击穿电压
30V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN3900UFA-7B拓展信息
Diodes Incorporated
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