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首页 全部分类 AOT16N50 vs STP12NM50

AOT16N50备选型号: STP12NM50

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  • 功率耗散
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  • 辐射硬化
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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOT16N50
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 500V 16A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    16A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    278W
    N-Channel
    370m Ω @ 8A, 10V
    2297pF @ 25V
    51nC @ 10V
    500V
    ±30V
    16A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP12NM50
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    12A Tc
    5V @ 50μA
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    160W
    N-Channel
    350m Ω @ 6A, 10V
    1000pF @ 25V
    39nC @ 10V
    -
    ±30V
    12A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    3
    4.535924g
    SILICON
    MDmesh™
    e3
    3
    EAR99
    350mOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500V
    12A
    STP12
    1
    Single
    增强型MOSFET
    20 ns
    SWITCHING
    10ns
    4V
    TO-220AB
    500V
    48A
    400 mJ
    150°C
    19.68mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无铅
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