AOT280L备选型号: IPP120N06S4H1AKSA2

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    20.5A Ta 140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    2.7m Ω @ 20A, 10V
    3.4V @ 250μA
    11135pF @ 40V
    224nC @ 10V
    80V
    ±20V
    140A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    2.4m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 200μA
    21900pF @ 25V
    270nC @ 10V
    -
    ±20V
    120A
    ROHS3 Compliant
    3
    6.000006g
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    DRAIN
    30 ns
    5ns
    15 ns
    TO-220AB
    20V
    60V
    0.0024Ohm
    480A
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