AOT2910L备选型号: FQPF19N10
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N CH 100V 6A TO22018 Weeks通孔通孔TO-220-36A Ta 30A Tc2.7V @ 250μA-55°C~175°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)N-Channel24m Ω @ 20A, 10V1190pF @ 50V25nC @ 10V100V±20V30AROHS3 Compliant-------------------------
- MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F4 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack13.6A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)N-Channel100m Ω @ 6.8A, 10V780pF @ 25V25nC @ 10V-±25V13.6AROHS3 Compliant32.27gSILICONQFET®e3yes3EAR99Tin (Sn)100V19ASingle增强型MOSFET38WISOLATED7.5 nsSWITCHING150ns65 ns25V100V54.4A220 mJ无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDPF3860T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V, 3-Pin TO-220F ON Semiconductor FDPF3860T | 对比 | |
| FQPF19N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F | 对比 | |
![]() | IRLI520NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP | 对比 |



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