ON Semiconductor FDPF3860T

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

33.8W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

Number of Elements

1

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.802GOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

33.8W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38.2m Ω @ 5.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

2.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

278 mJ

高度

16.07mm

宽度

4.9mm

长度

10.36mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅