AOT2916L备选型号: TK18E10K3,S1X(S

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最大功率耗散
  • 最大rds
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N CH 100V 5A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    5A Ta 23A Tc
    2.7V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    34m Ω @ 10A, 10V
    870pF @ 50V
    20nC @ 10V
    100V
    ±20V
    23A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    18A Ta
    -
    150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    42mOhm @ 9A, 10V
    -
    33nC @ 10V
    100V
    -
    18A
    符合RoHS标准
    TO-220-3
    U-MOSIV
    71W
    42 mΩ
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