AOTF10N65备选型号: TK8A65D(STA4,Q,M)

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    50W Tc
    2009
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    1 Ω @ 5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1645pF @ 25V
    33nC @ 10V
    650V
    ±30V
    10A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    8A Ta
    2004
    Bulk
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    840mOhm @ 4A, 10V
    4V @ 1mA
    1350pF @ 25V
    25nC @ 10V
    650V
    ±30V
    8A
    符合RoHS标准
    3
    TO-220SIS
    π-MOSVII
    150°C
    -55°C
    45W
    22ns
    15 ns
    30V
    1.35nF
    840 mΩ
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