Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D(STA4,Q,M)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220SIS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

系列

π-MOSVII

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

45W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

840mOhm @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

22ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

1.35nF

最大rds

840 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准