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AOTF12N65备选型号: IPAW60R600CEXKSA1
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- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管特性
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack312A Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2009活跃1 (Unlimited)未说明未说明50WN-Channel720m Ω @ 6A, 10V2150pF @ 25V48nC @ 10V650V±30V12A30VROHS3 Compliant含铅-----------------
MOSFET N-CH 600V TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack313.5V @ 200μA-40°C~150°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)未说明未说明-N-Channel600m Ω @ 2.4A, 10V444pF @ 100V20.5nC @ 10V600V±20V10.3A-ROHS3 Compliant-SILICONCoolMOS™yes3EAR99SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDSWITCHING3VTO-220AB0.6Ohm19A600V超级交界处无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQPF13N50CF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F | 对比 |
| IPA65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3 | 对比 |
 | TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS | 对比 |
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