Infineon Technologies IPA65R650CEXKSA1
- 收藏
- 对比
IPA65R650CEXKSA1
1211-IPA65R650CEXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
立即发货

MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
--最小包装量--
IPA65R650CEXKSA1详情
Infineon Technologies IPA65R650CEXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
质量
6.000006g
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Tc
Power Dissipation (Max)
28W Tc
系列
CoolMOS™ CE
包装
Tube
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
650m Ω @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 210μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
440pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
7A
最大双电源电压
650V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPA65R650CEXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










哦! 它是空的。