TK8A65W,S5X
TK8A65W,S5X

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Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W,S5X

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型号

TK8A65W,S5X

utmel 编号

2541-TK8A65W,S5X

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS

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TK8A65W,S5X
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS

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TK8A65W,S5X详情

Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W,S5X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 供应商器件包装

    TO-220SIS

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    7.8A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    30W Tc

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    DTMOSIV

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    650mOhm @ 3.9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 300μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    570pF @ 300V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    7.8A

  • 输入电容

    570pF

  • 最大rds

    650 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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