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首页 全部分类 AOTF4126 vs IRFI4510GPBF

AOTF4126备选型号: IRFI4510GPBF

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF4126
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 100V 6A TO220F
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    6A Ta 27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    SDMOS™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    24m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    2200pF @ 50V
    42nC @ 10V
    100V
    ±25V
    27A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF
    Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220FP Infineon
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    13.5m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 100μA
    2998pF @ 50V
    81nC @ 10V
    -
    ±20V
    35A
    ROHS3 Compliant
    3
    6.000006g
    SILICON
    3
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    ISOLATED
    16 ns
    SWITCHING
    33ns
    37 ns
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    206 mJ
    无SVHC
    无
    无铅
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