Infineon Technologies IRFI4510GPBF

工厂交货时间

15 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

42W Tc

Turn Off Delay Time

54 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

42W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.5m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2998pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

81nC @ 10V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

35A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

206 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅