AOTF4N60备选型号: IPA50R800CEXKSA2
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
- MOSFET N-CH 600V 4A TO220F18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack4A Tc-55°C~150°C TJTube2009活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFETN-Channel2.2 Ω @ 2A, 10V4.5V @ 250μA615pF @ 25V18nC @ 10V600V±30V4A4AROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack4.1A Tc-40°C~150°C TJTube2008活跃1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel800m Ω @ 1.5A, 13V3.5V @ 130μA280pF @ 100V12.4nC @ 10V-±20V4.1A-ROHS3 Compliant3SILICONCoolMOS™ CEe3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明ISOLATED6.2 nsSWITCHING无卤素5.5ns15.9 nsTO-220AB20V500V0.8Ohm15.5A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB812PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB | 对比 |
| NDF04N62ZG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP | 对比 | |
![]() | IPA50R800CEXKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP | 对比 |




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