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首页 全部分类 AOTF4N60 vs IRFB812PBF

AOTF4N60备选型号: IRFB812PBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
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  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF4N60
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    2.2 Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 250μA
    615pF @ 25V
    18nC @ 10V
    600V
    ±30V
    4A
    4A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB812PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    2.2 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    810pF @ 25V
    20nC @ 10V
    -
    ±20V
    3.6A
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    HEXFET®
    3
    2.2Ohm
    Single
    78W
    14 ns
    SWITCHING
    22ns
    17 ns
    3V
    TO-220AB
    20V
    500V
    110 ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    无铅
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