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首页 全部分类 AOTF7N60 vs IPA65R1K0CEXKSA1

AOTF7N60备选型号: IPA65R1K0CEXKSA1

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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF7N60
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    1.2 Ω @ 3.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1035pF @ 25V
    28nC @ 10V
    600V
    ±30V
    7A
    7A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R1K0CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    7.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    1 Ω @ 1.5A, 10V
    3.5V @ 200μA
    328pF @ 100V
    15.3nC @ 10V
    -
    ±20V
    7.2A
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    CoolMOS™
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    ISOLATED
    SWITCHING
    无卤素
    TO-220AB
    650V
    1Ohm
    12A
    50 mJ
    超级交界处
    无铅
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