AOTF9N90备选型号: STF10N65K3
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 900V 9A TO220F18 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON9A Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2009活跃1 (Unlimited)3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-Channel1.3 Ω @ 4.5A, 10V2560pF @ 25V58nC @ 10V900V±30V9ATO-220AB9A900VROHS3 Compliant--------------------
- MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP12 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack3SILICON10A Tc4.5V @ 100μA-55°C~150°C TJTube-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-Channel1 Ω @ 3.6A, 10V1180pF @ 25V42nC @ 10V-±30V10ATO-220AB--ROHS3 CompliantSuperMESH3™e3EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSTF10N35W14.5 nsSWITCHING14ns35 ns3V30V0.85Ohm650V40A16.4mm10.4mm4.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TK10A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS | 对比 |
![]() | STF10N65K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP | 对比 |
![]() | TK9A90E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS | 对比 |




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