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首页 全部分类 AOTF9N90 vs TK10A80E,S4X

AOTF9N90备选型号: TK10A80E,S4X

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
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  • 系列
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF9N90
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    9A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    1.3 Ω @ 4.5A, 10V
    2560pF @ 25V
    58nC @ 10V
    900V
    ±30V
    9A
    TO-220AB
    9A
    900V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK10A80E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    -
    10A Ta
    4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    不适用
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    1 Ω @ 5A, 10V
    2000pF @ 25V
    46nC @ 10V
    -
    ±30V
    10A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    6.000006g
    π-MOSVIII
    1
    Single
    50W
    80 ns
    40ns
    35 ns
    30V
    800V
    150°C
    18.1mm
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