AOU3N60备选型号: MJD31CITU

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    TO-251-3
    2.5A Tc
    -50°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -50°C
    56.8W
    N-Channel
    3.5Ohm @ 1.25A, 10V
    4.5V @ 250μA
    370pF @ 25V
    12nC @ 10V
    600V
    ±30V
    2.5A
    30V
    370pF
    3.5 Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 100V 3A IPAK
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    100V
    150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.56W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    343.08mg
    SILICON
    1.2V
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    1.56W
    3A
    3MHz
    MJD31
    Single
    AMPLIFIER
    3MHz
    NPN
    NPN
    100V
    3A
    10 @ 3A 4V
    50μA
    1.2V @ 375mA, 3A
    3MHz
    100V
    5V
    6.3mm
    6.8mm
    2.5mm
    无铅
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