ON Semiconductor MJD31CITU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.56W

额定电流

3A

频率

3MHz

基本部件号

MJD31

元素配置

Single

功率耗散

1.56W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 3A 4V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.3mm

长度

6.8mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅