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AOW482备选型号: HUF75639S3
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 11A TO26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA11A Ta 105A Tc-55°C~175°C TJTubeSDMOS™2010活跃1 (Unlimited)333WN-Channel7.2m Ω @ 20A, 10V3.7V @ 250μA4870pF @ 40V81nC @ 10V80V±25V105A25VROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA9 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA56A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002活跃1 (Unlimited)200WN-Channel25m Ω @ 56A, 10V4V @ 250μA2000pF @ 25V130nC @ 20V-±20V56A20VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2.084gSILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)100V56AR-PSIP-T3Single增强型MOSFETDRAIN15 nsSWITCHING60ns25 ns0.025Ohm100V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFSL3607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262 | 对比 |
| HUF75639S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA | 对比 |
 | IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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