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AOW482备选型号: IPI086N10N3GXKSA1
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 11A TO26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA11A Ta 105A Tc-55°C~175°C TJTubeSDMOS™2010活跃1 (Unlimited)333WN-Channel7.2m Ω @ 20A, 10V3.7V @ 250μA4870pF @ 40V81nC @ 10V80V±25V105A25VROHS3 Compliant---------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA1-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)125WN-Channel8.6m Ω @ 73A, 10V3.5V @ 75μA3980pF @ 50V55nC @ 10V-±20V80A20VROHS3 CompliantSILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)SINGLE3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET18 nsSWITCHING无卤素42ns8 ns100V0.0086Ohm320A无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFSL3607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262 | 对比 |
 | HUF75639S3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA | 对比 |
| IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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