AOWF8N50备选型号: FQI1P50TU
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 系列
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 500V 8A TO262F18 Weeks通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak8A Tc-55°C~150°C TJTube2009活跃1 (Unlimited)N-Channel850m Ω @ 4A, 10V4.5V @ 250μA1042pF @ 25V28nC @ 10V500V±30V8AROHS3 Compliant------------
- Trans MOSFET P-CH 500V 1.5A 3-Pin(3 Tab) I2PAK T/R-通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA1.5A Tc-55°C~150°C TJTube-Obsolete1 (Unlimited)P-Channel10.5 Ω @ 750mA, 10V5V @ 250μA350pF @ 25V14nC @ 10V500V±30V1.5A符合RoHS标准QFET®-500V-1.5ASingle3.13W9 ns25ns30 ns30V-500V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPI08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 | 对比 |
| FQI6N40CTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail | 对比 |



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