Infineon Technologies SPI08N50C3XKSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

560V

额定电流

7.6A

元素配置

Single

功率耗散

83W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 350μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

560V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

7.6A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

漏源击穿电压

560V

输入电容

750pF

漏源电阻

600mOhm

最大rds

600 mΩ

高度

9.25mm

长度

10mm

宽度

4.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅