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首页 全部分类 APT10086BVRG vs IPW60R180C7XKSA1

APT10086BVRG备选型号: IPW60R180C7XKSA1

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  • 操作温度
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Microsemi Corporation
    APT10086BVRG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-247-3
    TO-247 [B]
    13A Tc
    Tube
    POWER MOS V®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1kV
    400W
    13A
    370W
    12 ns
    N-Channel
    860mOhm @ 500mA, 10V
    4V @ 1mA
    4440pF @ 25V
    275nC @ 10V
    10ns
    1000V
    10 ns
    13A
    30V
    3.47nF
    210 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R180C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    13A Tc
    Tube
    CoolMOS™ C7
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    180m Ω @ 5.3A, 10V
    4V @ 260μA
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    18 Weeks
    NO
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    13A
    0.18Ohm
    45A
    600V
    53 mJ
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