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首页 全部分类 APT1201R4BFLLG vs STW12NK90Z

APT1201R4BFLLG备选型号: STW12NK90Z

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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT1201R4BFLLG
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
    34 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    1.2kV
    SINGLE
    9A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 1mA
    2030pF @ 25V
    75nC @ 10V
    5ns
    1200V
    ±30V
    11 ns
    9A
    TO-247AD
    30V
    9A
    36A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW12NK90Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    900V
    -
    11A
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    230W
    -
    31 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    880m Ω @ 5.5A, 10V
    4.5V @ 100μA
    3500pF @ 25V
    152nC @ 10V
    20ns
    -
    ±30V
    55 ns
    11A
    -
    30V
    -
    44A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    3
    EAR99
    880mOhm
    STW12N
    Single
    3.75V
    900V
    500 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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