STMicroelectronics STW9NK90Z

工厂交货时间

12 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

9.071847g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

55 ns

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

系列

SuperMESH™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.3Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

900V

额定电流

8A

基本部件号

STW9N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3 Ω @ 3.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2115pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 10V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

900V

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

宽度

5.15mm

长度

15.75mm

高度

20.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅