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APT14M100S备选型号: STH12N120K5-2
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- JESD-609代码
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(2 Tab) D3PAKIN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON14A Tc-55°C~150°C TJBulkPOWER MOS 8™1997yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Pure Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼245303R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET500WDRAINN-ChannelSWITCHING880m Ω @ 7A, 10V5V @ 1mA3965pF @ 25V120nC @ 10V1000V±30V14A30V0.88Ohm55A875 mJ符合RoHS标准-------------
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON12A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ K5--活跃1 (Unlimited)2EAR99--SINGLE鸥翼245未说明-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET250WDRAINN-ChannelSWITCHING690m Ω @ 6A, 10V5V @ 100μA1370pF @ 100V44.2nC @ 10V1200V±30V12A30V0.69Ohm48A-ROHS3 Compliant26 WeeksTinH2PAK-2-8159712e3not_compliantSTH12N123 ns11ns18.5 ns1.2kV150°C5mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STH12N120K5-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 | 对比 |
 | FCB290N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | 对比 |
 | STB10N95K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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