STMicroelectronics STH12N120K5-2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

H2PAK-2-8159712

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

68.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

MDmesh™ K5

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STH12N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

690m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1370pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44.2nC @ 10V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

18.5 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.69Ohm

漏源击穿电压

1.2kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant