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首页 全部分类 APT150GN60B2G vs IKQ120N60TXKSA1

APT150GN60B2G备选型号: IKQ120N60TXKSA1

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  • 元素配置
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  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 无卤素
  • 反向恢复时间
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY
    536W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    536W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    220A
    TO-247AD
    154 ns
    1.85V @ 15V, 150A
    575 ns
    沟渠现场停车
    970nC
    450A
    44ns/430ns
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKQ120N60TXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 3-Pin TO-247 Tube
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    833W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    833W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    160A
    -
    84 ns
    2V @ 15V, 120A
    398 ns
    沟渠现场停车
    703nC
    480A
    50ns/565ns
    6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    TrenchStop™
    EAR99
    未说明
    未说明
    无卤素
    241 ns
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