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首页 全部分类 APT150GN60B2G vs IXXH100N60B3

APT150GN60B2G备选型号: IXXH100N60B3

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  • 端子表面处理
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  • 输入类型
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  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY
    536W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    536W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    220A
    TO-247AD
    154 ns
    1.85V @ 15V, 150A
    575 ns
    沟渠现场停车
    970nC
    450A
    44ns/430ns
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH100N60B3
    IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    雪崩 额定
    830W
    3
    R-PSFM-T3
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    220A
    TO-247AD
    92 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    350 ns
    PT
    143nC
    480A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.500007g
    1.8V
    GenX3™, XPT™
    SINGLE
    IXX*N60
    不合格
    SINGLE
    830W
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