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首页 全部分类 APT150GN60B2G vs IRGPS46160DPBF

APT150GN60B2G备选型号: IRGPS46160DPBF

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  • 输入类型
  • 功率 - 最大
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    LOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY
    536W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    536W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    220A
    TO-247AD
    154 ns
    1.85V @ 15V, 150A
    575 ns
    沟渠现场停车
    970nC
    450A
    44ns/430ns
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGPS46160DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 240A 750W SUPER247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    750W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    750W
    -
    -
    2.05V
    240A
    -
    -
    2.05V @ 15V, 120A
    -
    -
    240nC
    360A
    80ns/190ns
    5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    38.000013g
    1.7V
    EAR99
    未说明
    未说明
    130 ns
    20.8mm
    16.1mm
    5.5mm
    无SVHC
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