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APT18M80S备选型号: STB13N60M2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON500W TcPOWER MOS 8™Bulk-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)2纯哑光锡雪崩 额定SINGLE鸥翼245303R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING530m Ω @ 9A, 10V5V @ 1mA3760pF @ 25V120nC @ 10V800V±30V19A0.53Ohm70A800V795 mJ符合RoHS标准------------------
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON11A TcMDmesh™ II PlusCut Tape (CT)-55°C~150°C TJ--活跃1 (Unlimited)2---鸥翼---R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA580pF @ 100V17nC @ 10V600V±25V11A-44A-125 mJROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks3EAR99380mOhmSTB13NSingle110W11 ns10ns9.5 ns25V650V4.6mm10.4mm9.35mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB23N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 16A | 对比 |
| STB27NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 对比 |
 | FCB290N80 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | 对比 |
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