Microsemi Corporation APT18M80S

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

500W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc

系列

POWER MOS 8™

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

530m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3760pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

19A

漏极-源极导通最大电阻

0.53Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

795 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准