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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.654377
10
¥14.768284
100
¥13.932341
500
¥13.143716
1000
¥12.39973
STMicroelectronics STB27NM60ND
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- 对比
STB27NM60ND
2381-STB27NM60ND
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
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¥
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STB27NM60ND详情
STMicroelectronics STB27NM60ND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
160W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
基本部件号
STB27N
配置
Single
功率耗散
160W
接通延迟时间
60 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 10.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STB27NM60ND拓展信息
STMicroelectronics
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