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首页 全部分类 APT20GN60BG vs STGW20V60F

APT20GN60BG备选型号: STGW20V60F

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  • 引脚数量
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  • 输入类型
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT20GN60BG
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 40A 136W TO247
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    600V
    136W
    40A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    TO-247AD
    19 ns
    1.9V @ 15V, 20A
    290 ns
    沟渠现场停车
    120nC
    60A
    9ns/140ns
    230μJ (on), 580μJ (off)
    30V
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW20V60F
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    167W
    -
    3
    -
    Single
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    -
    49 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    173 ns
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    2.3V
    STGW20
    167W
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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